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4-6寸氧化硅片

双面氧化/单面氧化氧化层厚度50um-2um

产品描述

参数

4-6英寸氧化硅片氧化厚度50nm-7000nm, 热氧化层是作为绝缘体的优异的介电层。在众多硅基器件中，热氧化物层在作为掺杂阻止层和表面电介质方面起着重要作用。

应用领域

1、离子注入阻挡层。二氧化硅对杂质的扩散起到掩蔽作用。在集成电路制造中，几种常用的杂质如硼、磷、砷等在二氧化硅膜中的扩散要比它们在硅中的扩散慢很多。因此，在制作半导体器件的各个区（如晶体管的源漏区）时，最常采用的方法是首先在硅晶圆片表面生长一层氧化膜，经过光刻、显影后，再刻蚀掉需掺杂区域表面的氧化膜，从而形成掺杂窗口，最终通过窗口选择性地将杂质注入相应的区域中。

2、栅氧化层。在MOS/CMOS集成电路的制造工艺中，通常用siO2作为MOS晶体管的绝缘栅介质，即栅氧层。

3、介质隔离。集成电路制作中的隔离方法有PN结隔离和介质隔离，其中介质隔离通常选择的就是siO2氧化膜。例如CMOS工艺中的场氧（用来隔离PMOS和NMOS晶体管）就是siO2膜，用来隔离PMOS管和NMOS管的有源区。

4、绝缘介质。二氧化硅是良好的绝缘体，因此对于多层金属布线结构，它用作上下两层金属之间的绝缘介质，可防止金属之间发生短路。

5、金属打线测试。

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